强场激光物理国家重点实验室前身是中国科学院强光光学重点实验室，以中国科学院上海光学精密机械研究所为依托单位。实验室主要从事激光物理，特别是强场激光物理及相关新前沿新方向的开拓研究。

该极紫外光刻光源关键技术研发课题依托强场激光物理国家重点实验室开展，进行激光等离子体型的极紫外（EUV，extreme ultraviolet）光刻光源关键技术研究。该技术的预研得到了国家科技重大专项以及上海市的重要支持。

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研究课题：极紫外光刻光源研发

    新一代极紫外（EUV，extreme ultraviolet）光刻技术是半导体制造实现7纳米、5纳米、3纳米及以下节点的关键技术。EUV光刻基于13.5nm波长的极紫外光源，其基本原理是利用高功率激光与锡液滴靶相互作用产生EUV光。EUV光刻光源是EUV光刻机的核心部件，该技术的预研得到了国家科技重大专项以及上海市的重大支持。课题研究目标以建立激光等离子发光的EUV(LPP-EUV)光刻光源综合研究平台，突破直径20~30μm稳定锡液滴发生器，高功率（万瓦级）短脉冲（10-30ns）主泵浦激光器和高功率皮秒预泵浦激光器，以及污染控制、EUV光收集等关键技术，为EUV光刻光源产品研发奠定基础。

联系方式

联系人：王成 13918010953         

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